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直接変調された緑色レーザーポインター

この前、米国工学アカデミーとカリフォルニア大学サンタバーバラ校のジョンバウアーズ教授が率いるオプトエレクトロニクス研究チームは、シリコン上に直接変調されたマイクログリーンレーザーポインターを開発しました。

レーザーはエピタキシャル成長し、CMOSプロセスと互換性のあるシリコンウェーハ上に統合されると報告されています。 量子ドット固有の基板欠陥の使用、側壁の非放射再結合効果が低減され、バッファ層が最適化されて、III-V材料とシリコンウェーハ間の界面の転位密度が低減されます。 逆ドメイン、格子不整合、熱膨張係数に大きな違いがある異種成長材料システムでの優れたグリーンレーザーポインター性能：1.3μmの通信帯域と103Kの機能でのシングルモードレーザー発振高温高温動作環境の安定性と3mAの低しきい値電流、3 6.5GHzのdB帯域幅。

側壁の非放射再結合を伴う量子ドットの使用は、性能の低下に影響を及ぼします。 この研究は、マイクロリング共振器と量子ドットを組み合わせた新しいレーザーアーキテクチャのアイデアに基づいています。 シリコン上の小さな電気的にポンピングされた量子ドットのエピタキシャル成長レーザーポインターは、電極の金属化がマイクロサイズの空洞によって制限されるという問題と、複雑なプロセスでのささやきの回廊モード（WGM）の欠陥によって引き起こされる光損失を解決します。

米国のIntegratedPhotonics Manufacturing InnovationCenterの副所長であるJohnBowers教授は、この作業は、従来のウェーハボンディングプロセスに代わる、シリコン基板上にIII-V素子を直接成長させるエピタキシャルプロセスの開発における重要なステップであると述べました。 。 コストを削減し、サイズを縮小し、消費電力を削減しながら、緑色のレーザーポインターをスケーリングします。